【一週熱點】10月DRAM/NAND Flash顆粒合約價跌幅明顯；華潤微電子12英寸晶圓廠落戶重慶

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華潤微電子12英寸晶圓廠落戶重慶

近日，國內再增一座12英寸晶圓生產線。11月5日，華潤微電子與重慶西永微電園簽署合作協議。

根據協議，華潤微電子將在重慶西永微電園建設國內首座本土企業的12英寸功率半導體晶圓生產線。該12英寸生產線項目總投資約100億元，主要生產MOSFET、IGBT、電源管理芯片等功率半導體產品。

據瞭解，這是繼SK海力士二期、聯合微電子中心、華潤基板級扇出封裝項目後，西永微電園今年引進的第四個百億級集成電路項目。

而事實上，此次也並非華潤微電子與西永微電園的首次合作。此前，在西永微電園擁有一座8英寸功率及模擬芯片晶圓廠的中航（重慶）微電子有限公司被收編至華潤微電子旗下，併成立了華潤微電子（重慶）有限公司。

而在此次整合之後，華潤微電子8英寸晶圓製造產能超過10萬片，其功率器件業務將佔國內功率器件市場份額達6.5%。今年年初，華潤微電子正式入駐重慶西永微電園。

DRAM/NAND Flash顆粒合約價下跌

根據集邦諮詢半導體研究中心(DRAMeXchange)調查顯示，10月份的存儲器市場合約價均有明顯跌幅。

DRAM方面，隨着第四季度DRAM合約價議定，10月份的合約價格開始大幅下降，尤以大容量模組8GB跌幅爲甚，其均價已滑落至61美元，較上季度的68美元而言，跌幅高達10.29%，而主流模組4GB的均價也從此前的34.5美元降至31美元，跌幅達到10.14%。

NAND Flash方面，除了SSD、eMMC/UFS價格持續下跌外，其他NAND Flash顆粒及Wafer產品的合約價跌幅也非常顯著。其中SLC NAND合約價在10月份完成第四季議價後，呈現出10-15%的跌幅。而TLC NAND Flash Wafer合約價跌幅更是高達13%-17%，創下2017年11月Wafer價格走跌以來，單月跌幅最大記錄。

展望後市，DRAMeXchange預估，2019年全年DRAM平均銷售單價的跌幅可能達到20%，而各大供應商的獲利能力則將在今年第三季度達到巔峯後將以緩着陸(soft-landing)的態勢逐季下修。

至於NAND Flash市場，DRAMeXchange則認爲，儘管年底歐美銷售旺季將至，但由於此波跌價未能有效刺激模組廠的備貨動能，因此預期11、12月的價格跌勢難止。

華天科技建高端汽車電子封裝線

11月7日，江蘇崑山經濟技術開發區與華天科技（崑山）電子有限公司就高可靠性車用晶圓級先進封裝生產線項目簽署了合作協議。

根據協議，該封裝生產線項目總投資約20億元人民幣，主要針對車載圖像傳感器晶圓級封裝測試，總建築面積約3.6萬平方米。

項目達產後，其年新增傳感器高可靠性晶圓級集成電路先進封裝可達36萬片，年新增產值約10億元人民幣，將形成規模化的高可靠性車用晶圓級封裝測試及研發基地。

據瞭解，該項目是華天科技在崑山打造晶圓級高端封裝測試基地的重點項目。此前，華天科技（崑山）電子有限公司承擔的“國產中道工藝高端封測裝備與材料量產應用工程”項目和“12英寸國產裝備新工藝開發與應用”項目獲得了國家立項。

SK海力士96層4D NAND年內量產

11月4日，存儲器大廠SK海力士宣佈，已經率先研發出96層512Gbit的4D NAND閃存半導體，並計劃年內在韓國忠北青州市的M15廠初步量產新開發的96層4D NAND閃存產品。

作爲全球首款的96層512Gbit的4D NAND閃存產品，採用的是SK海力士首次將3D CTF（Charge Trap Flash)與PUC（Peri Under Cell)技術結合起來而開發出的新技術，而通過這種技術開發出的產品可以獲得更好的性能和產能。

與SK海力士72層512Gb 3D NAND閃存相比，此次SK海力士新研發出的4D NAND閃存體積縮小了30%以上，可以搭載到智能手機移動零部件之中，每張面板可以生產的記憶容量提升1.5倍，可同時處理的數據量更是提升了1倍，而讀寫能力則分別提升了30%和25%。

根據規劃，SK海力士計劃年內推出搭載4D NAND閃存的1TB容量SSD固態硬盤。此外，SK海力士還計劃利用相同的技術研發新一代128層4D NAND閃存。至於SK海力士能否憑藉新產品的優勢在競爭力相對較弱的NAND市場提高市佔率，還需拭目以待。