東京工業大學的科學家最近開發了一種極低密度的錫“氣泡”，這使得極紫外線的產生變得可靠而且便宜。

東京工業大學的技術團隊已經實現了這一目標，他們用聚電解質製成的聚合物電解質“肥皂泡”作爲模板，用激光照射，這種聚合物電解質非常穩定，適合大規模生產。

一旦球體被輻射，研究小組就能夠證實發出了與金屬錫相同的13.5nm的極紫外(EUV)射線。研究小組認爲，他們的新技術可以爲先進半導體等電子產品的各種應用鋪平道路，作爲一種可靠的EUV光源產生手段。

圖中顯示了納米化的錫氣泡是如何產生EUV光

高強度激光器過去曾被用來產生EUV光，但是，事實證明，對於這些激光器而言，要保持對可產生EUV範圍內光的目標密度的控制是有挑戰性的。

東京工業大學的團隊與都柏林大學學院的同事合作，致力於尋找可用於產生EUV光的激光靶，同時保持高效、可擴展和低成本。他們的錫塗層微膠囊 "氣泡 "技術是一種可高度控制的低密度結構。它由聚合物電解質組成，然後塗上錫納米顆粒。

適於製造半導體芯片

爲了對該氣泡進行測試，研究小組用釹-YAG激光器對其進行照射。結果是產生了13.5納米範圍內的EUV光，研究小組還發現，該結構與製造半導體的傳統EUV光源兼容。

"克服了液態錫動力學的限制，在產生EUV光方面非常有利。"Keiji Nagai教授說。"定義良好的低密度錫靶可以支持多種材料，包括其形狀、孔隙大小和密度。"

EETOP編譯自allaboutcircuits

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