与非网 5 月 9 日讯，全球芯片制造商预计今年将削减对于生产设施的投资，就如 2019 年应对严重供应过剩的市场环境一般。

据市场研究公司 Omdia 报告显示，全球对 DRAM生产设施的投资额预计将较上年同期减少 13.3%，至 178 亿美元；NAND 闪存方面投资将达 267 亿美元，降幅为 5.8%。

不过，Omdia 也在报告中指出，2021 年内存市场的投资额可能会回升，包括 DRAM 设施投资预计增长 20.8%，至 215 亿美元；NAND 闪存投资增长 6.2%，至 283 亿美元。

对此，有业内人士表示，“考虑到内存投资在下跌周期下跌，在上涨周期又回升，Omdia 的预测似乎相当准确。”

与此同时，市场专家称，芯片制造商正通过尽可能的减少投资，寻求削减库存，进而提振内存价格。

另一方面，SK 海力士在第一季度财报中表示，从去年开始削减资本支出方面仍保持不变；三星电子在 2020 年 1 月宣布其 2019 年最后一个季度的业绩时表达了类似的观点，美光（Micron）也是如此。

值得一提的是，自新冠病毒爆发后，尽管市场对智能手机需求大大下滑，但受远程教学、在线办公趋势的推动，用于云基础设施的服务器内存需求实际上一直在增加，而这一趋势正在推高存储芯片的价格。

另外，韩国 KB 证券在 5 月 6 日发布的一份报告中指出，截至今年第二季度，DRAM 需求预计将超过供应的 20%。该报告补充称，随着经济发展进入第三季度，这一趋势可能会继续并扩大。这意味着，内存芯片价格有望继续走高。