南大光电193nm 光刻胶产品正在测试阶段，公司将在新基建的发展中，紧紧抓住“替代进口”的机遇，为国内集成电路产业的发展突破瓶颈和国产化做出积极的贡献。

半导体光刻胶根据曝光光源波长的不同来分类。常用曝光光源一共有六种，分别是紫外全谱（300～450nm）、G 线（436nm）、I 线（365nm）、深紫外（DUV，包括 248nm 和 193nm）和极紫外（EUV），相对应于各曝光波长的光刻胶也应运而生。

不同的光刻胶中，根据不同的需求，关键配方成份如成膜树脂、光引发剂、添加剂等也有所不同，使得光刻胶有不同的性能，进而能够满足相应的需求。目前英特尔，三星等大的半导体制造商，芯片产品已经将量产工艺推进到了 14nm 至 28nm 区间，这个也代表目前量产的最高工艺。

所以以上光刻胶种类里，能够采用 193nm 激光光源的浸润 ArF 线光刻胶，是唯一能够满足应用的光刻胶产品，具有极高的技术壁垒，是半导体光刻胶高精尖的代表。

2018 年全球半导体用光刻胶市场，G 线＆I 线、KrF、ArF＆液浸、ArF 三类光刻胶三分天下，占比分别占 24％、22％、42％。其中，ArF／液浸 ArF 光刻胶主要对应目前先进 IC 制程。

未来，随着功率半导体、传感器、LED 市场的持续扩大，I 线市场将持续增长。而随着精细化需求增加，I 线光刻胶将被 KrF 光刻胶替代，KrF 光刻胶市场需求将不断增加。

在全球半导体光刻胶领域，主要被日本合成橡胶（JSR）、东京应化（TOK）、罗门哈斯、日本信越、富士材料等头部厂商垄断。相较之下，中国企业份额不足 10％，半导体光刻胶和 LCD 光刻胶都严重依赖进口，虽然国内光刻胶产业尚不成熟，但是，国内企业已迎来代替窗口。

第一、新建晶圆厂投产：2020 年～2022 年是中国大陆晶圆厂投产高峰期，以长江存储，长鑫存储等新星晶圆厂和以中芯国际，华虹为代表的老牌晶圆厂正处于产能扩张期，未来 3 年将迎来密集投产。

第二、光刻胶代替窗口期：根据光刻胶的特性来推断，新建晶圆厂将是光刻胶国产代替的主要发展企业。国内新建晶圆厂的密集投产为光刻胶打开了最佳代替窗口。世界面板产能持续向中国转移，国内面板光刻胶市场需求预计约为 105 亿元。二者合计将带来约 160 亿元的市场空间。而且在全球经济矛盾的情况下，产业地位更加重要了。

光刻胶技术在半导体制造中至关重要，国产替代势在必行。目前光刻胶的国产化正在加速，但是半导体和 LCD 高端光刻胶技术与国外有较大差距。在自主研发，原材料依赖，厂商不易切入供应链和稳定商用等方面还是有很大的阻碍。

但随着电子信息产业向中国转移和配套产业链的完善，未来进口替代是趋势所向，其中大部分中低端产品已实现进口替代，部分优秀企业已在高端产品进口替代上取得了重大突破，进口替代趋势愈加明显，国产替代或即将实现。

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