南大光電193nm 光刻膠產品正在測試階段，公司將在新基建的發展中，緊緊抓住“替代進口”的機遇，爲國內集成電路產業的發展突破瓶頸和國產化做出積極的貢獻。

半導體光刻膠根據曝光光源波長的不同來分類。常用曝光光源一共有六種，分別是紫外全譜（300～450nm）、G 線（436nm）、I 線（365nm）、深紫外（DUV，包括 248nm 和 193nm）和極紫外（EUV），相對應於各曝光波長的光刻膠也應運而生。

不同的光刻膠中，根據不同的需求，關鍵配方成份如成膜樹脂、光引發劑、添加劑等也有所不同，使得光刻膠有不同的性能，進而能夠滿足相應的需求。目前英特爾，三星等大的半導體制造商，芯片產品已經將量產工藝推進到了 14nm 至 28nm 區間，這個也代表目前量產的最高工藝。

所以以上光刻膠種類裏，能夠採用 193nm 激光光源的浸潤 ArF 線光刻膠，是唯一能夠滿足應用的光刻膠產品，具有極高的技術壁壘，是半導體光刻膠高精尖的代表。

2018 年全球半導體用光刻膠市場，G 線＆I 線、KrF、ArF＆液浸、ArF 三類光刻膠三分天下，佔比分別佔 24％、22％、42％。其中，ArF／液浸 ArF 光刻膠主要對應目前先進 IC 製程。

未來，隨着功率半導體、傳感器、LED 市場的持續擴大，I 線市場將持續增長。而隨着精細化需求增加，I 線光刻膠將被 KrF 光刻膠替代，KrF 光刻膠市場需求將不斷增加。

在全球半導體光刻膠領域，主要被日本合成橡膠（JSR）、東京應化（TOK）、羅門哈斯、日本信越、富士材料等頭部廠商壟斷。相較之下，中國企業份額不足 10％，半導體光刻膠和 LCD 光刻膠都嚴重依賴進口，雖然國內光刻膠產業尚不成熟，但是，國內企業已迎來代替窗口。

第一、新建晶圓廠投產：2020 年～2022 年是中國大陸晶圓廠投產高峯期，以長江存儲，長鑫存儲等新星晶圓廠和以中芯國際，華虹爲代表的老牌晶圓廠正處於產能擴張期，未來 3 年將迎來密集投產。

第二、光刻膠代替窗口期：根據光刻膠的特性來推斷，新建晶圓廠將是光刻膠國產代替的主要發展企業。國內新建晶圓廠的密集投產爲光刻膠打開了最佳代替窗口。世界面板產能持續向中國轉移，國內面板光刻膠市場需求預計約爲 105 億元。二者合計將帶來約 160 億元的市場空間。而且在全球經濟矛盾的情況下，產業地位更加重要了。

光刻膠技術在半導體制造中至關重要，國產替代勢在必行。目前光刻膠的國產化正在加速，但是半導體和 LCD 高端光刻膠技術與國外有較大差距。在自主研發，原材料依賴，廠商不易切入供應鏈和穩定商用等方面還是有很大的阻礙。

但隨着電子信息產業向中國轉移和配套產業鏈的完善，未來進口替代是趨勢所向，其中大部分中低端產品已實現進口替代，部分優秀企業已在高端產品進口替代上取得了重大突破，進口替代趨勢愈加明顯，國產替代或即將實現。

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