然而由於等離激元激發有電子振盪參與，由焦耳熱引起的損耗成了等離激元器件走向應用的瓶頸。對於微納光子器件及集成芯片來說，尋找光頻段低損耗的金屬材料成了該領域研究人員多年來努力的目標。

近日，南京大學研究團隊與北京大學、美國佐治亞理工學院等單位合作，在鈉金屬薄膜和等離激元光子器件研究方面取得了重要突破。研究人員利用金屬鈉所具有的低熔點特點，發展了獨特的液態金屬旋塗工藝製成金屬鈉薄膜，首次揭示金屬鈉膜的優異光波段等離激元特性。

圖源：nature

相對於銀、金等貴金屬而言，以鈉爲代表的鹼金屬傳輸特性更接近理想自由電子氣模型，且帶間躍遷損耗較小，因此被認爲有可能具有更低的光學損耗。但由於金屬鈉活潑的化學性質和嚴苛的製備條件，基於金屬鈉的等離激元器件的實驗探索鮮有報道。

金屬鈉膜的製備是鈉基等離激元器件首先需要解決的問題，研究團隊發展的液態金屬旋塗工藝結合可控冷卻技術，成功獲得了高質量金屬鈉膜及等離激元結構。“理論計算和實驗結果表明，製備的鈉薄膜的自由電子弛豫時間約爲 0.42 皮秒，品質因數 -e1/e2 在近紅外波段有明顯優越性。”論文共同通訊作者、南京大學現代工程與應用科學學院副教授周林表示，鹼金屬薄膜製備工藝的突破爲低損耗的等離激元光子器件研發奠定了技術基礎。

隨後，研究團隊對鈉基表面等離極化激元的傳輸特性進行了定量研究。實驗結果表明，在近紅外波段（如 1500 納米）表面等離激元在鈉 - 二氧化硅界面的傳播長度可達 200 微米以上。此外，受益於獨特的色散特性，鈉基等離激元波導具有更強的橫向電磁場局域效應和更小的模式尺寸，其品質因數是金屬銀的兩倍以上。

在此基礎上，研究團隊設計並製備了基於金屬 - 絕緣體 - 半導體複合微納結構的激光器件。實驗結果表明，將低損耗的鈉基等離激元結構與高品質因子的 InGaAsP 量子阱結構相結合，可有效降低整個器件的歐姆損耗和輻射損耗，製備的鈉基等離激元激光器的室溫激射閾值約爲 140 千瓦每平方釐米，創造了同類型納米激光器閾值新低。

值得一提的是，得益於有效的封裝保護，該激光器件在正常環境下 6 個月後仍然保持了良好的工作性能。同時，研究團隊在高溫和高溼環境下進行了鈉基器件的加速老化實驗，證明了製備的鈉基等離激元器件具有非常好的耐受能力。

論文共同通訊作者、中科院院士祝世寧認爲，低損耗、高性能的鈉基等離激元器件的展示向等離激元集成應用方向邁出堅實的一步。