華爲已經開始將訂單從臺積電分散，其中麒麟 710A 開始轉向中芯國際的 14nm。

據悉，麒麟 710 系列原本是臺積電 12nm 代工，但榮耀 Play 4T 使用的麒麟 710A 則是中芯國際 14nm 生產。

對此消息，華爲、臺積電都沒有正面回應。據瞭解，中芯國際上海公司幾乎人手一臺榮耀 Play4T。這款手機與華爲商城線上出售的同款手機最大不同之處在於背面的 logo——SMIC 20，以及一行文字標註：Powered by SMIC FinFET，坐實傳聞。

有業內人人士表示，“這是從 0 到 1 的突破。”資料顯示，麒麟 710 於 2018 年 7 月由華爲 Nova 3i 搭載發佈，它也是麒麟首款 7 系列芯片，臺積電代工，12nm 工藝，主頻 2.2GHz，四顆 A73 2.2GHz+四顆 A53 1.7GHz 八核心設計。而麒麟 710A 則由中芯國際代工，14nm 製程，主頻 2.0GHz，核心未變，主頻略有差異。

中芯國際 SMIC 是國內最大、最先進的半導體晶圓廠，去年底正式量產了 14nm 工藝。

有知情人士披露，華爲正在將自家芯片的設計、生產工作，逐步從臺積電轉移到中芯國際。據稱，作爲華爲旗下的芯片部門，海思半導體在 2019 年底就安排部分工程師，聯合中芯國際設計和生產芯片，資源方面也逐漸向中芯國際傾斜，而不再完全依賴臺積電。

中芯國際將跳過 10nm 直接推出 7nm 工藝，包括 N＋1、N＋2 兩種類型。其中，N＋1 工藝和現有的 14nm 工藝相比，性能提升了 20%，功耗降低了 57%，邏輯面積縮小了 63%，SoC 面積減少了 55%。

梁孟松博士表示，N＋1 代工藝在功耗及穩定性上跟 7nm 工藝非常相似，但性能要低一些（業界標準是提升 35%），所以中芯國際的 N＋1 工藝主要面向低功耗應用的。而在 N＋1 之後，中芯國際還會有 N＋2，這兩種工藝在功耗上表現差不多，區別在於性能及成本，N＋2 顯然是面向高性能的，成本也會增加。

梁孟松博士表示，在當前的環境下，N＋1、N＋2 代工藝都不會用 EUV 工藝，等到設備就緒之後，N＋2 之後的工藝纔會轉向 EUV 光刻工藝。這也意味着後續的 7nm 工藝，中芯國際無需 EUV 光刻機也能實現量產。

至於推出的時間，梁孟松博士提到會在 2020 年底開始試產，而真正的量產可能要等到 2021 年了。如果明年中芯國際的 7nm 工藝順利量產，那麼將有望承接更多來自華爲海思的訂單。