我國在太空方面能有今天的成就，離不開此人和她的同事。她帶動同事創下了多個新中國第一，受到了全球科學家的關注，在砷化鎵晶體太空生長和性質研究方面取得了重大成就，被譽爲“中國太空材料之母” 。同時，她還是我國半導體材料科學的奠基人。

1918年，林蘭英出生在莆田一個封建家庭。她是老大，後來父母還生下了4個妹妹和2個弟弟。家裏有着嚴重的重男輕女思想，妹妹在很小的時候就被送人了。從6歲開始，她就要看護弟弟和做家務，要做好供全家人喫的兩大鍋飯。她很聰明，學什麼一學就會，非常想出去看看外面的世界是什麼樣的。

爲此，林蘭英不惜絕食，要求家裏送自己去唸書。家人害怕她出什麼意外，不得已才答應了她，同意讓她去上學。她成績優異，總是班裏的前兩名，校長決定保送她到礪青中學。1930年9月，林蘭英成了初一的學生。接下來的三年時間裏，她始終是全年級第一。1933年，她成了莆田中學高一年級唯一的一個女學生，後轉到一所教會學校繼續唸書。1936年，她以優異的成績考上了福建協和大學物理系。大學期間，她同樣表現突出，畢業時被學校留下來當助教，負責教授《普通物理學》等物理方面的課程。

1947年，福建協和大學和賓夕法尼亞州的迪金森學院建立了交換留學生的關係。這個消息，讓林蘭英心動了，決定出國深造。第二年八月，她遠赴美國留學，在迪金森學院數學系學習。1949年，她因成績優異，獲得了美國大學榮譽學會迪金森分會獎勵的一枚金鑰匙。同年，她又到賓夕法尼亞大學攻讀研究生，研究固體物理。研究生畢業後，林蘭英又攻讀了博士，導師是米勒教授。

1955年，林蘭英獲得了賓夕法尼亞大學固體物理學博士學位，成了該校建校200多年以來第一個獲得博士學位的中國人，也是第一位女博士。當時，導師推薦她到紐約的索菲尼亞公司當高級工程師。在她的指導下，該公司成功製造出了第一根硅單晶，隨後又爲公司申報了兩項專利。爲了留住林蘭英，索菲尼亞公司開出了年薪1萬美元的待遇。但是，她最終還是沒有留下來，因爲她心心念唸的祖國需要自己！

當時，蘇聯撤走了所有專家，帶走了所有研究數據，導致中國的很多研究幾乎停擺。很多在外的優秀科學家聽到這個消息後，紛紛放棄國外優厚的待遇回國，爲祖國貢獻自己的力量。林蘭英也是其中之一，1956年以母親病重爲由，向美國方面提交了回國申請。美國當然不願放走這個人才，百般阻撓，還派出了聯邦調查局去調查她。卻還是沒能阻止她。1957年初，她幾經波折，終於回到了祖國，進入中國科學院物理研究所工作，每個月的工資爲207元。

回國後，林蘭英和團隊廢寢忘食的工作，在1958年製造出了中國第一根硅單晶。1961年，中國第一臺開門式硅單晶爐製造成功。次年，中國第一根無位錯的硅單晶誕生。在特殊時期，林蘭英也受到了影響，此時美方又在打她的主意，還派有人來勸說。她婉言謝絕了，說：“我既然20年前毅然回國，20年後更不會到美國去了，中國現在更需要我！”此後，林蘭英帶領團隊爲中國創下了多個第一，爲中國作出了巨大貢獻。

2003年3月4日，林蘭英院士在北京因病醫治無效與世長辭，享年85歲。