東科半導體推出合封GaN芯片，助力高功率密度進化
東科半導體近日推出了一款國內首顆合封GaN電源管理芯片，DKG045Q系列，這款芯片內部集成了650V/200mΩ導阻的GaN HEMT，邏輯控制器，GaN驅動器和高壓啓動管，採用反激方式，DFN5x6mm封裝，輸出功率45W，最高工作頻率150KHz。首先來看東科的Demo吧。
東科這款Demo板是一款典型的PD適配器，其採用QR反激架構，最大輸出功率45W，支持寬電壓輸入，輸出常見的5-20V PD規格，尺寸僅爲43.1*36.1*19.6mm，整機功率密度達1.12W/cm³。
Demo板使用合封GaN和合封同步整流，元件非常簡潔。
與友商對比，東科這款Demo僅有64個元器件，簡潔很多，大大降低成本，加快產品研發上市速度，把握更多商機。
圖爲東科半導體的DKG045Q單芯片GaN解決方案，與常規的DFN封裝的MOS管同樣大小，內部集成PWM控制器，GaN驅動器，GaN開關管等電路，大大節省開關電源元件數量，有助於提高開關電源功率密度。
東科DKG045Q內置650V/200mΩ導阻的GaN HEMT，內置驅動電路和控制電路，內置高壓恆流啓動電路，相比傳統控制器+驅動器+GaN的電路，採用東科DKG045Q只需要一顆芯片即可完成原有三顆芯片才能完成的功能，電源系統設計更加簡潔化。同時東科DKG045Q還具有多種操作模式，可以降低待機功耗，提高輕載效率，並且芯片還內置完善的保護功能，增加系統可靠性。
看到這裏大家已經都覺得這個芯片很強大了吧，那麼這顆GaN合封芯片爲什麼這麼強大呢？下面爲大家解讀合封的厲害之處。
圖爲傳統控制器+GaN功率管的示意圖，從驅動器DRV驅動信號輸出到GaN的GATE柵極，要經過三段導線，分別是驅動器封裝內部打線，PCB上驅動信號走線和GaN封裝內部打線，信號迴路也是同樣的三段，迴路的三段還容易受到初級電流信號干擾。
這些導線都具有寄生電感，在高頻開關下，寄生電感會增加開關損耗，提高振鈴幅度，使得調試難度增加，降低可靠性和開關速度，還會降低整機轉換效率。而東科半導體推出的合封DKG045Q就大大解決了這個問題。
東科DKG045Q在封裝內部集成GaN和控制器及驅動器，最大程度縮短導線長度，從分立兩段打線+PCB走線優化成封裝內部打線，大大減小了寄生電感對性能的影響。
東科DKG045Q合封GaN與傳統控制器+GaN對比，封裝內部打線還避免了初級開關電流對地線的干擾，使工作更加穩定。
通過示波器觀察驅動信號，白色線是分離式驅動+GaN方案，由於寄生電感的存在，可以看到驅動信號的過沖和下衝都非常明顯，而綠色線合封方案，驅動信號的上升下降波形都沒有明顯的異常。
東科半導體的合封方案，相比其他主流方案，具有成本低，元件數量少，易於調試的優勢，其他主流方案均有成本高昂，外圍複雜，調試難度高的劣勢。
東科DKG045Q 三合一合封GaN芯片外圍元件非常精簡，DFN5x6封裝有效提高適配器的功率密度，合封方案降低寄生參數影響的優勢，進一步降低調試難度，降低成本，提高可靠性。
以上是合封優勢相比主流方案的對比，最後總結，想要低成本高效率高功率密度，選東科就對了。