事件點評

集微網消息，美國時間7月14日晚9點30分左右，光刻膠供應商陶氏化學（DowsChemical）位於路易斯安那州的普拉克明工廠發生爆炸。

光刻膠品種衆多，依據工藝條件選取相應品種。光刻膠能夠利用光化學反應，經過曝光、顯影等光刻工藝，將所需微細圖形從掩模版轉移到待加工基片上。半導體光刻膠使用主要取決於製程，通常越先進製程相應需要使用越短曝光波長光刻膠，以達到特徵尺寸微小化。G/I線、KrF光刻膠均爲成熟製程用光刻膠，G/I線光刻膠主要用於高壓汞燈光源光刻工藝，對應工藝製程爲350nm及以上；KrF光刻膠主要用於KrF激光光源光刻工藝，對應工藝製程250-150nm；ArF光刻膠主要用於DUV光刻工藝，可用於130-14nm芯片工藝製程，其中幹法主要用於130-65nm工藝，浸沒式主要用於65-14nm工藝。

高端光刻膠需求增加，國內外廠商將逐鹿KrF、ArF光刻膠。摩爾定律趨近極限，半導體制造製程進步使得所對應光刻加工特徵尺寸（CD）不斷縮小，配套光刻膠也逐漸由G線(436nm)→I線(365nm)→KrF(248nm)→ArF(193nm)→F2(157nm)方向轉移，從而滿足IC製造更高集成度要求。製造8寸、12寸晶圓需使用KrF、ArF光刻膠，全球8寸/12寸晶圓廠擴產將帶動KrF、ArF光刻膠需求。根據SEMI數據，2026年全球300 mm（12寸）晶圓廠產能有望提高至960萬片/月；全球半導體制造商預計將從2021年到2025年將200mm晶圓廠產能提高20%，新增13條200mm生產線，產能有望超700萬片/月，故未來KrF、ArF光刻膠將成爲國內外廠商主要競爭市場。根據TECHCET數據，2025年，KrF/ArF光刻膠市場規模分別爲9.07/10.72億美元。

美日廠商壟斷光刻膠市場，市場高度集中，國內廠商多集中於中低端市場。根據Research And Markets數據，2021年日本合成橡膠（JSR）、東京應化（TOK）、杜邦、信越化學、住友化學等五大廠商壟斷近85%市場份額，且日本廠商佔比超過70%。目前國內廠商主要以紫外寬譜、g線、i線等產品爲主，國內廠商在該等產品領域已經佔據一定市場份額，而在KrF、ArF/ ArFi、EUV等中高端光刻膠領域，仍主要依賴於進口，國內企業大多還在積極研發、驗證中，尚未大規模量產出貨。其中，彤程新材KrF產品在Poly、AA、Metal、TM/TV、Thick、Implant、ContactHole等工藝市佔率持續攀升；華懋科技ArF光刻膠26款，涵蓋65nm、55nm、40nm、28nm及以下關鍵層工藝以及LOGIC、3DNAND、DRAM等應用領域，KrF光刻膠30款，涵蓋55nm、40nm、28nm及以下關鍵層工藝以及集成電路、分立器件、傳感器等應用領域；南大光電ArF光刻膠及配套材料項目所需光刻車間和生產線已建成，驗證工作正在多家下游主要客戶穩步推進；晶瑞電材ArF高端光刻膠研發工作在有序開展中，KrF高端光刻膠部分品種已量產；上海新陽KrF光刻膠已經在超10家客戶端提供樣品進行測試驗證，並取得部分樣品訂單，通過測試驗證，ArF浸沒式光刻膠研發進展順利，實驗室樣品目前取得數據指標與對標產品大部分接近。

投資建議：建議關注國內研發能力強，光刻膠產品通過驗證且已進入半導體制造廠商供應鏈龍頭公司。

風險提示：宏觀經濟形勢變化風險致使產業鏈受到衝擊；光刻膠廠商研發進度不及預期；光刻膠國產替代進程不及預期。