來源:芯東西

  臺積電在美國亞利桑那州的總投資增加到650億美元。

作者 | ZeR0

編輯 | 漠影

芯東西4月9日報道,北京時間4月8日,臺積電與美國商務部宣佈簽署一項不具約束力的初步協議(PMT),臺積電將根據美國《芯片和科學法案》獲得高達66億美元的直接資助,以及高達50億美元的貸款,將在鳳凰城建設第3家晶圓代工廠,到2023年生產2nm或更先進芯片。

第三家芯片工廠建設將使臺積電在亞利桑那州的總投資增加到650億美元,促就亞利桑那州史上最大的海外直接投資。AMD董事長兼CEO蘇姿豐、英偉達創始人兼CEO黃仁勳、蘋果公司CEO庫克都對臺積電這筆歷史性投資表示祝賀。

美國白宮網站還專門發佈了《美國總統拜登就與臺積電就芯片和科學法案初步協議發表聲明》,足見茲事重大。

臺積電在亞利桑那州的第一家晶圓廠Fab 21一期將於2025年上半年開始生產,生產4nm FinFET技術。(臺積電美國工廠Fab21上機儀式在2022年12月舉行)

第二個晶圓廠Fab 21二期將生產世界上最先進的2nm工藝技術,除了此前宣佈的3nm技術外,還將採用下一代nanosheet晶體管技術,2028年開始生產。

第三家晶圓廠將採用2nm或更先進工藝來生產芯片,並將到2030年開始生產。

在滿負荷運轉的情況下,臺積電亞利桑那州的三個晶圓廠將生產數千萬個頂尖芯片,爲5G/6G智能手機、自動駕駛汽車和人工智能(AI)數據中心服務器等產品提供動力。

與臺積電所有先進的晶圓廠一樣,這三個晶圓廠的潔淨室面積約是工業標準邏輯晶圓廠的2倍。

三家芯片工廠合計將創造超過2.5萬個直接建築和製造業就業機會,以及數千個間接就業機會。

臺積電亞利桑那州晶圓廠的目標是實現90%的水循環利用率。臺積電已開始設計建設一個工業水回收廠,以實現“接近零液體排放”,使幾乎每一滴水都回到設施中。

除了建議66億美元的直接資助外,PMT還建議向臺積電提供高達50億美元的貸款。臺積電計劃申請美國財政部的投資稅收抵免,最高可達臺積電亞利桑那州合格資本支出的25%。

對比之下,上個月,英特爾根據美國芯片法案獲得85億美元直接資助、110億美元貸款、25%的稅收抵免,最高可達1000億美元的合格資本支出。

臺積電仍致力於其長期財務目標,即以美元計算的收入複合年增長率爲15-20%,毛利率爲53%及更高,淨資產收益率爲25%及更高。

“《芯片與科學法案》爲臺積電提供了前所未有的投資機會,併爲我們在美國提供最先進的製造技術的代工服務,”臺積電董事長劉德音說,“我們的美國業務使我們能夠更好地支持我們的美國客戶,其中包括幾家世界領先的科技公司。我們在美國的業務也將擴大我們的能力,引領半導體技術的未來發展。”

“我們很榮幸能夠支持我們在移動、AI和高性能計算領域的先驅客戶,無論是在芯片設計、硬件系統還是軟件、算法和大語言模型方面,”臺積電總裁魏哲家博士說,“他們是創新者,推動了對臺積電所能提供的最先進芯片的需求。作爲他們的晶圓代工合作伙伴,我們將通過臺積電亞利桑那州提高頂尖技術的產能,幫助他們釋放創新。迄今爲止,我們對亞利桑那州工廠的進展感到興奮,並致力於其長期成功。”

責任編輯:石秀珍 SF183

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