摘要：\u003C\u002Fp\u003E\u003Cimg src=\"http:\u002F\u002Fp3.pstatp.com\u002Flarge\u002Fpgc-image\u002FRXDeQOs5dkjWsw\" img_width=\"600\" img_height=\"338\" alt=\"台积电计划2022年量产3nm工艺 已有客户参与开发\" inline=\"0\"\u003E\u003Cp\u003E三星此前曾披露，将在3nm工艺节点使用基于纳米片(nano-sheet)的环绕式栅极(Gate-All-Around) MBCFET晶体管结构，工艺节点简称3GAAE。\u003C\u002Fp\u003E\u003Cimg src=\"http:\u002F\u002Fp9.pstatp.com\u002Flarge\u002Fpgc-image\u002FRXDeQOa5ZHbFEk\" img_width=\"600\" img_height=\"450\" alt=\"台积电计划2022年量产3nm工艺 已有客户参与开发\" inline=\"0\"\u003E\u003Cp\u003E事实上，台积电的3nm工艺仍在早期研发阶段，台积电没有给出任何技术细节以及性能、功耗指标，比如比性能与5nm工艺相比提升多少、功耗可以降低多少等。

"\u003Cp\u003E在半导体制造方面，台积电近几年凭借激进的风格，取得了非常不错的效果。第一代7nm工艺在2018年开始量产，新一代的7nm EUV工艺也在上半年开始量产，5nm工艺很快就会上马，3nm工艺也越来越近了。\u003C\u002Fp\u003E\u003Cp\u003E台积电CEO兼联席主席蔡力行(C.C. Wei)在投资者与分析师会议上透露，台积电的N3 3nm工艺技术研发非常顺利，已经有早期客户参与进来，与台积电一起进行技术定义，3nm将在未来进一步深化台积电的领导地位。\u003C\u002Fp\u003E\u003Cimg src=\"http:\u002F\u002Fp9.pstatp.com\u002Flarge\u002Fpgc-image\u002FRXDeQOa5ZHbFEk\" img_width=\"600\" img_height=\"450\" alt=\"台积电计划2022年量产3nm工艺 已有客户参与开发\" inline=\"0\"\u003E\u003Cp\u003E事实上，台积电的3nm工艺仍在早期研发阶段，台积电没有给出任何技术细节以及性能、功耗指标，比如比性能与5nm工艺相比提升多少、功耗可以降低多少等。台积电只是表示，3nm是一个全新的工艺节点，而不是5nm的改进版。考虑到台积电必须在新工艺上保持足够的竞争力，而且强调过3nm是全新的，所以必然也会有新的架构、技术、材料等。\u003C\u002Fp\u003E\u003Cp\u003E台积电计划在2022年就量产3nm工艺，台积电表示已经评估了3nm工艺所有可能的晶体管结构设计，并与客户一起得到了非常好的解决方案，具体规范正在进一步开发中，公司有信心满足大客户们的所有要求。台积电5nm工艺使用了14个EUV极紫外光刻层，3nm上应该会使用更多，但仍可能继续保留DUV深紫外光刻技术，混合使用。\u003C\u002Fp\u003E\u003Cimg src=\"http:\u002F\u002Fp3.pstatp.com\u002Flarge\u002Fpgc-image\u002FRXDeQOs5dkjWsw\" img_width=\"600\" img_height=\"338\" alt=\"台积电计划2022年量产3nm工艺 已有客户参与开发\" inline=\"0\"\u003E\u003Cp\u003E三星此前曾披露，将在3nm工艺节点使用基于纳米片(nano-sheet)的环绕式栅极(Gate-All-Around) MBCFET晶体管结构，工艺节点简称3GAAE。从14nm开始的FinFET晶体管结构将会被正式放弃。\u003C\u002Fp\u003E"'.slice(6, -6), groupId: '6717502695231455752