原標題：國產光刻機突破在即，打破美國荷蘭壟斷、助力華爲芯片靠它了

受週末美國新制裁利空消息影響，科技股全線下跌。然而今日光刻類概念股票卻逆勢領漲A市，漲幅達到4.29%，成爲科技股中一道亮麗風景。在此，有必要講解一下光刻機背後的國家較量。當美國技術封鎖華爲後，美國高通、微軟及谷歌等高科技企業已經禁止提供國內芯片。雖然華爲，展訊，紫光，中芯微等具備芯片設計能力。但當美國限制臺積電和三星停止代工生產芯片時，國內的中芯國際14nm芯片工藝還可以緩衝一下今年的國內芯片用量；如果美國限制荷蘭阿斯麥爾（ASML）的光刻機進口中國，國內的代工廠將無選擇方案。光刻機，是國內芯片產業中最大的痛！

ASML光刻機

ASML是當前世界上最先進的光刻機制造公司，市場佔有率超過80%，而其中最先進的極紫外光刻機（EUV光刻），全世界只有ASML一家公司能製造，具備7nm芯片乃至5nm等芯片工藝。ASML的大股東包括美國因特爾、臺灣積體電路製造（臺積電）、韓國的三星、荷蘭皇家飛利浦電子公司等，其中因特爾佔股爲15%，臺積電大約5%。一臺光刻機的單價1.5億美元，而荷蘭ASML每年能夠生產的光刻機數量爲24臺左右。

切割好的晶圓

早在2007年以前，在光刻機領域還是日本尼康、佳能的天下，ASML則是不入流派。隨後，ASML抓住了臺積電的“浸潤式微影”技術，雙方合作確定了ASML光刻機領域的霸主地位。尼康、佳能一敗塗地，ASML則成爲半導體制造光刻機設備的絕對龍頭。光刻機制造複雜。數據顯示EUV高端光刻機設備內部的8萬個零部件中，摻雜高端技術的零件不勝枚舉，需要全球採購。而這些對技術工藝要求極高的零部件，有不少都是某個企業所專有，根本不可能被複制和模仿。光刻機的光源有：激光，紫外光、深紫外光、極紫外光。現在最先進技術是極紫外光。測量臺移動的控制器，也是納米級精度，要求超高。因此，ASML放言：即使公開製備圖紙，也無法制備出來。

芯片

一旦美國禁止光刻機設備，芯片也只能依附在圖紙上。芯片的製備包括：提純二氧化硅，製備圓柱體硅，晶圓加工，刻蝕芯片電路（鋪膠、量測、光刻），最後切割測試封裝。在光刻這一步上，最痛的例子就是中芯國際，早在2018年中芯國際就向ASML訂購了一臺先進光刻機（1.2億美元）。由於美國阻止，這臺機器一直沒有運達國內，導致我國國產7nm芯片工藝處於落後地步，停留在14nm水平。

中科院專家曾表示：中國光刻機落後荷蘭ASML大概15年。中科院光電所研發的365納米波長，曝光分辨率達到22納米，是近紫外的光線。這離極紫外還有一點差距。光刻機的激光波長決定了芯片工藝高端，波長越短，造價越高。像ASML最先進的EUV極紫外光刻機，波長只有13.5納米，可以生產10nm、7nm的芯片。根據分辨率和套刻精度，芯片可分爲0.18um、0.25um、0.35um、10nm、7nm、65nm、28nm、20nm、16/14nm、90nm、40nm等。

上海微電子裝備公司

光刻機如此之難，但並不代表我國人缺乏啃骨頭、克技術難點的公司和能人。中國最牛的光刻機生產商是上海微電子裝備公司（SMEE），它可以做到的最精密的加工製程是90nm，相當於2004年最新款的 intel 奔騰四處理器的水平，而現在ASML已經衝向了5nm、3nm工藝，差距之大可見一斑。國內已經實現了從無到有的過程，現在到了追趕工藝的階段，光刻機有望即將迎來新的突破，志在打破荷蘭美國壟斷，助助力國內芯片的發展壯大。

最後，國產半導體設備和材料龍頭標：安集科技、北方華創，刻蝕龍頭：三安光電、華特氣體、江豐電子、滬硅產業、精測電子、萬業企業和賽騰股份等。