過去，美國同樣憑藉着自己在半導體領域的優勢去打壓日本，最後日本半導體發展怎麼樣呢？日本是如何突破美國的打壓呢？

由於當時日本消費類半導體產品物美價廉，因而得以迅速侵 佔美國廠商的市場份額，導致了 1966 年-1970 年美國國內電視機等廠商出現連年虧損，工人就業人數減少 32%，生產設備閒置率高達 42%。

到了 70 年代，美國對 日本貿易逆差開始逐漸走闊，美國政府有所行動。1972 年，美國借日本計算機公 司卡西歐違反《反傾銷》法案，開始禁止向日本出口半導體技術的核心 IC，導致卡西歐公司在全美的市場份額由鼎盛時期的 80%跌至 1974 年的 27%。

面對美國的打壓，日本半導體一時間遭遇重創。但現在我們知道，日本半導體依然是市場強國，那麼日本如何實現了突破呢？

面對美國的封鎖，日本舉全國之力攻克核心技術，掌握了大量的關鍵半導體技術。美國對核心材料的斷供使得日本半導體行業岌岌 可危，陷入被動局面，與此同時，1970 年 IBM 宣佈在大型計算機中使用半導體 存儲器取代磁芯，DRAM 內存芯片將成爲潛力巨大的市場也讓日本意識到半導體產業的戰略性地位。

爲推動國內半導體行業攻克核心領域，不被美國“卡脖子”，1976 年由日本政府出資 320 億日元，富士通、日立、三菱、NEC、東芝五大企業聯合籌資 400 億日元，共計 720 億日元爲基金，由電子綜合研究所和計算機綜 合研究所牽頭，共同開展“超大規模集成電路”計劃，舉國之力自主研發研製 64K 和 128K 的 DRAM 內存芯片技術。

1980 年，日本公佈研製成 64K 的 DRAM 內存芯片，比美國提前了半年；同年，日本電氣通信研究所比美國提前兩 年研製成 256K 的 DRAM 內存芯片。VLSI 計劃成功助推日本在半導體領域實現 跳躍式進步，並使得日本在接下來的 80 年代中逐步取代美國成爲全球半導體市場的最大擁有者。

日本成功實現了在半導體最大的領域存儲芯片上對美國的反超，但後來有遭遇到美國貿易戰的打擊喪失部分市場，但日本半導體憑藉着技術領先，依然佔據了當前半導體領域的強國地位。

面對美國的封鎖，中國政府採取的方法類似，集中力量辦大事。胡老師認爲，我國不可能去突破所有的半導體技術，但會在幾個關鍵的技術上去集中突破，而這些技術的突破將帶來巨大的市場替代空間，也是未來投資的核心方向。

那麼，什麼方向最後可能是匯聚全國之力去突破呢？集中攻克的方向主要會集中在：

材料（硅片和特種氣體）；設備（蝕刻機和光刻機）；製造（晶圓代工方向）；大類應用（存儲芯片，AI芯片）。