原標題：賽晶首發自研國產IGBT芯片新進展 未來將緩解供需失衡現狀

新華網北京9月28日電（楊曉波）近年來，在光伏、風電產業鏈已趨向整體國產化的背景下，核心部件IGBT卻仍依賴進口。儘管政策與企業共同發力，國內IGBT市場向好，但IGBT市場依舊供不應求。IGBT，即絕緣柵雙極型晶體管，被視爲電力領域的“CPU”，是具有驅動功率小與飽和壓降低等優點的半導體功率器件。

28日，賽晶電力電子向社會發布首款由公司自主研發的國產IGBT是1200V的芯片及模塊產品。據介紹，該公司將陸續推出600V至1700V的中低壓領域產品，目標市場爲電動汽車、光伏風電、工業變頻等市場。

此次，公司發佈的產品備受期待，在賽晶電力電子集團有限公司董事長項頡看來是由於公司擁有近20年的功率半導體行業積澱，擁有成熟的市場渠道和深厚的客戶積累，爲賽晶迅速取得打開市場奠定了良好基礎。“我們研發團隊大多來自ABB半導體或頂尖企業的人才，對IGBT有很深理解與豐富經驗。並且，我們行業用戶集中且穩定。”

賽晶電力電子國產IGBT備受新能源發電產業關注，反映出該產業對IGBT國產替代的“渴望”。項頡向記者介紹，該項目預計今年年底前廠房建設完成，2021年一季度第一條生產線試生產、第二條生產線投資啓動，預計未來3至5年完成全部生產線建設。“一旦公司產品批量供貨，項目產能釋放，就會迅速幫助市場與企業解決缺貨問題，緩解供需失衡的現狀。”

據業界人士介紹，逆變器、變流器以及其它光伏、風電技術裝置均離不開IGBT器件，近年來，雖然光伏發電、風力發電邁向國際前沿，產業鏈整體國產化，但其核心功率器件IGBT仍是依賴進口，依存度達90%。

項頡坦言，在低電壓、小功率、技術難度和性能要求相對較低的領域，國內企業取得了不錯的成績，特別是模塊封裝企業進步明顯。但不可否認的是，特別是對IGBT模塊性能起到決定性作用的IGBT芯片，國內與國外技術差距較大。

4年前，賽晶電力電子開始佈局IGBT，今年6月生產基地落地浙江嘉興。該項目規劃建設2條IGBT芯片背面工藝生產線、5條IGBT模塊封裝測試生產線，建成後年產能達200萬件IGBT模塊產品。

賽晶電力電子具有近20年的功率半導體行業積澱，與國內競爭者不同的是，賽晶電力電子以來自國際頂級企業的技術專家團隊爲核心，自國際一流水平開始起步，致力於打造具有國際主流競爭力的高端產品。

責任編輯：劉萬里 SF014