財聯社10月4日電，據韓聯社報道， 三星電子3日宣佈於2027年量產1.4納米工藝的芯片。三星電子當天在美國加州硅谷舉辦“三星晶圓代工論壇&SAFE論壇”並公佈涵蓋上述內容的晶圓業務路線圖和新技術。在時隔三年線下舉行的這場論壇上，三星首次公佈1.4納米芯片量產計劃。三星電子主管晶圓代工業務的社長崔時榮表示，將基於下一代晶體管結構全環繞柵極(GAA)技術不斷創新工藝，計劃2025年引進2納米芯片製造工藝，2027年引進1.4納米工藝。