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金融界2023年12月1日消息，据国家知识产权局公告，高通股份有限公司取得一项名为“用于电子设备的能量收集器件“，授权公告号CN110720148B，申请日期为2018年5月。

专利摘要显示，一种设备，该设备包括：包含发热器件的区域，和耦合到包含发热器件的区域的能量收集器件。能量收集器件包括第一导热层、耦合到第一导热层的热电生成器(TEG)和耦合到热电生成器(TEG)的第二导热层，以使得热电生成器(TEG)位于第一导热层和第二导热层之间。在一些实现中，能量收集器件包括绝缘层。