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金融界2023年12月1日消息，據國家知識產權局公告，高通股份有限公司取得一項名爲“用於電子設備的能量收集器件“，授權公告號CN110720148B，申請日期爲2018年5月。

專利摘要顯示，一種設備，該設備包括：包含發熱器件的區域，和耦合到包含發熱器件的區域的能量收集器件。能量收集器件包括第一導熱層、耦合到第一導熱層的熱電生成器(TEG)和耦合到熱電生成器(TEG)的第二導熱層，以使得熱電生成器(TEG)位於第一導熱層和第二導熱層之間。在一些實現中，能量收集器件包括絕緣層。