每經記者 朱成祥    每經編輯 陳俊傑    

近日,國內四大晶圓代工廠相繼披露2023年財報。中芯國際(688981.SH,股價41.18元,市值3274.67億元)、華虹公司(688347.SH,股價28.63元,市值491.5億元)、晶合集成(688249.SH,股價13.30元,市值266.8億元)、芯聯集成(688469.SH,股價4.60元,市值324.1億元)營收分別爲452.5億元、162.32億元、72.44億元和53.24億元,營收增速分別爲-8.6%、-3.3%、-27.93%和15.59%。

可以看出,四大晶圓代工廠中,只有芯聯集成營收保持增長。從營收佔比看,芯聯集成主要以功率器件爲主,公司表示:“新能源汽車、風光儲能等細分賽道對功率器件的需求仍繼續保持高增長。”

不過,芯聯集成卻是四大晶圓代工廠中唯一虧損的廠商。2023年,中芯國際、華虹公司、晶合集成、芯聯集成淨利潤分別爲48.23億元、19.36億元、2.12億元和-19.58億元;前三家淨利潤分別同比下降60.3%、35.64%和93.05%。

中芯、華虹綜合性強

從營收規模看,中芯國際、華虹公司均超百億元,體量較大。據各自2023年財報,中芯國際、華虹公司月產能分別爲80.6萬片、39.1萬片(約當8英寸產能,約當8英寸數量等於12英寸晶圓數量乘2.25)。

截至2023年末,芯聯集成已建成兩條8英寸硅基晶圓產線,合計達成月產17萬片。而晶合集成在年報中並未披露晶圓產能,其在產能預約中卻表示,截至2023年12月31日,客戶預定2024年產能爲81.00萬片,摺合6.75萬片/月。由於晶合集成均爲12英寸產線,摺合8英寸產能約爲15.19萬片/月。

產品結構方面,中芯國際表示,公司多年來長期專注於集成電路工藝技術的開發,向全球客戶提供 8英寸和12英寸晶圓代工與技術服務,應用於不同工藝技術平臺,具備邏輯電路、電源/模擬、高壓驅動、嵌入式非揮發性存儲、非易失性存儲、混合信號/射頻、圖像傳感器等多個技術平臺的量產能力,可爲客戶提供智能手機、電腦與平板、消費電子、互聯與可穿戴、工業與汽車等不同領域集成電路晶圓代工及配套服務。通過長期與境內外知名客戶的合作,形成了明顯的品牌效應,獲得了良好的行業認知度。

可以看出,中芯國際在多個細分領域均有涉及,也可以靈活地在各平臺之間切換產能。

與中芯國際相比,華虹公司雖也涉及多個細分領域,但明顯傾向於功率半導體和存儲領域。2023年,華虹公司功率器件營收佔比最高,達39.50%,嵌入式非易失性存儲器、獨立式非易失性存儲器佔比分別爲30.69%和5.11%。功率半導體、存儲合計佔比高達75.30%。

值得一提的是,中芯國際雖然綜合性較強,但並未涉及功率半導體。也就是說,華虹公司佔比最高的功率半導體業務,中芯國際卻未涉足。

或許,這與中芯國際投資芯聯集成有關。芯聯集成之前的證券簡稱爲“中芯集成”,中芯國際全資子公司中芯國際控股有限公司持有芯聯集成14.10%的股份,爲其第二大股東。

芯聯集成產品則以IGBT(絕緣柵雙極晶體管)和MOSFET(金氧半場效晶體管)爲主,均爲功率半導體。簡而言之,中芯國際所缺失的產品,正是芯聯集成的強項。

晶合、芯聯“專精”單一領域

中芯國際、華虹公司是綜合性晶圓代工廠商,而晶合集成、芯聯集成目前看來仍以單一領域爲主。晶合集成專精DDIC(面板顯示驅動芯片),芯聯集成專精功率器件。

從應用產品分類看,晶合集成主要產品如DDIC、CIS(CMOS圖像傳感器)、PMIC(電源管理芯片)、MCU(微控制單元)佔主營業務收入的比例分別爲 84.79%、6.03%、6.04%、1.71%。可以看出,晶合集成2023年絕大部分營收由DDIC貢獻。

不過,晶合集成也在積極拓展其他業務,比如CIS。4月9日,晶合集成宣佈其55納米單芯片、高像素背照式圖像傳感器(BSI)迎來批量量產。據悉,該款芯片整體像素提高至5000萬水準。

晶合集成產品集中在DDIC,芯聯集成則集中在功率半導體。據悉,芯聯集成兩條8英寸硅基晶圓產線中,IGBT產品月產8萬片、MOSFET產品月產7萬片、MEMS(微機電系統)產品月產1.5萬片、HVIC(高壓絕緣子塗層、8英寸)產品月產0.5萬片。公司8英寸晶圓代工產品年平均產能利用率超80%。

可以看出,芯聯集成主要產能爲IGBT和MOSFET這兩大功率半導體。目前,功率半導體正從硅基MOSFET、IGBT走向SIC(碳化硅)體系。

關於碳化硅,芯聯集成表示,公司從2021年起投入SiC MOSFET芯片、模組封裝技術的研發和產能建設,僅用兩年時間完成了3輪技術迭代。用於車載主驅逆變器的SiC MOSFET器件和模塊於2023年實現量產。截至2023年12月,公司6英寸SiC MOSFET產線已實現月產出5000片以上,2024年公司還將計劃建成國內首條8英寸SiC MOSFET實驗線。

封面圖片來源:每日經濟新聞 劉國梅 攝

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