IT之家2月25日消息 IT之家去年曾報道，長鑫存儲正使用其10G1工藝技術(即19nm工藝)來製造4GB和8GB的DDR4內存芯片，目標是在2020年第一季度上市。現在，長鑫官網就公佈了新款內存的外觀和參數。

上圖清單中列出長鑫的筆記本和臺式機內存，容量都是8GB，速率都是DDR4-2666，電壓爲1.2V，時序未知。

IT之家曾報道，長鑫存儲科技有限公司已經開始使用19納米制造技術生產DDR4內存。目前，該公司已經制定了至少兩個10納米級製造工藝的路線圖，並計劃在未來生產所有類型的DRAM。不僅如此，長鑫存儲還計劃再建兩個晶圓廠來提高產量。長鑫存儲還將使用同樣的技術將在2020年下半年製造LPDDR4X內存。該公司的技術路線圖包括17nm的DDR4、LPDDR4X、DDR5和LPDDR5內存。

現在京東搜索內存條，可以發現8GB DDR4 2666的價格已經比去年有所升高。