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合肥長鑫公司去年9月份宣佈量產國內DDR4內存芯片，總投資1500億的國內內存項目終於開花結果了。今年以來有多款基於長鑫DDR4的國產內存上市，現在下一步目標也定了，預計2-3年內搞定LPDDR5，工藝升級到17nm以下。

合肥長鑫所在地的安徽省日前發佈了《重點領域補短板產品和關鍵技術攻關任務揭榜工作方案》文件，該方案要求通過2-3年時間，重點突破一批制約產業發展的關鍵技術，培育一批優勢產品，做強一批優勢企業，不斷提高製造業自主可控水平，促進製造業高質量發展。

在內存方面，文件要求推進低功耗高速率LPDDR5 DRAM產品開發，要面向中高端移動、平板及消費類產品DRAM存儲芯片自主可控需求，研發先進低功耗高速率LPDDR5 產品並實現產業化，依託DRAM  17nm及以下工藝，攻關高速接口技術、Bank Group架構設計技術、低功耗電源（電壓）技術、片內糾錯編碼（On-Die ECC）技術，完成低功耗高速率LPDDR5 DRAM產品開發。

安徽的這個文件可以說是該省內信息技術產業發展的一個大綱，希望2-3年內解決一些關鍵技術瓶頸，實際上合肥長鑫此前也公佈過類似的技術路線圖，他們去年量產的內存還是第一代10nm級工藝10G1，相當於19nm工藝的DDR4技術，包括桌面級DDR4、LPDDR4等等。

長鑫已經在規劃後續的內存新品及工藝了，預計還會有10G3、10G5工藝，目前具體水平不確定，大概率會是1X、1Y、1Znm工藝的演進，相當於16-19、14-16、12-14nm的水平，具體看長鑫的能力。

至於國產LPDDR5的問世時間，官方2-3年肯定是留出足夠空間的，實際完成的時間應該會比這個短，類似長江存儲的國產閃存那樣，只要解決了第一代，後面的迭代升級會加快速度。