集微網消息，近日，中科院微電子所集成電路先導工藝研發中心羅軍研究員課題組在STT-MRAM器件與集成技術研究領域取得了階段性進展。

中科院微電子研究所官方消息顯示，該課題組聯合北京航空航天大學趙巍勝教授團隊以及江蘇魯汶儀器有限公司，基於8英寸CMOS先導工藝研發線，自主研發原子層級磁性薄膜沉積、深紫外曝光、原子層級隧道結刻蝕以及金屬互連等關鍵工藝模塊，在國內首次實現了晶圓級亞百納米STT-MRAM存儲器件製備，爲新型定製化STT-MRAM非揮發存儲器的研製奠定了基礎。

據悉，針對STT-MRAM集成工藝中磁性薄膜沉積和刻蝕技術兩大關鍵工藝模塊，羅軍課題組研發了原子層級磁性薄膜沉積工藝並創新性地提出基於SiNx的類側牆轉移隧道結刻蝕方法，有效抑制了刻蝕過程中反濺金屬沉積導致的MgO側壁短路問題。

此外，課題組採用Ta/Ru/Ta的複合硬掩模結構，不僅有效改善了隧道結的刻蝕陡直度，還結合Trimming工藝將隧道結尺寸減小至100nm以下，一定程度上解決了漏磁場干擾問題。

據瞭解，目前課題組已全線打通8英寸晶圓級STT-MRAM集成工藝，實現了晶圓級STT-MRAM的存儲器件製備。（校對/諾離）