原標題：推動半導體產業發展，華微電子CCT MOS產品發佈

作爲功率半導體行業的龍頭企業，爲進一步降低產品導通電阻，豐富在電源領域的產品系列，華微電子CCT MOS產品正式發佈，助力我國半導體產業發展。

CCT MOS即場耦合溝槽MOSFET（Couple Charge Trench Metal-Oxide-Semiconductor Effect Transistor），爲低壓TRENCH MOS的升級產品。CCT MOS在原理上利用電荷平衡效應（chrange coupling effect）；在結構上採用屏蔽柵結構（SGT），即在TRENCH MOS基礎上引入屏蔽柵結構。通過結構的改變，在相同耐壓下，有更低的導通電阻。也是由於此結構，屏蔽柵使米勒電容減小，開關速度提高。前者使靜態損耗降低，後者使動態損耗降低，進而總功耗更小。

華微電子CCT MOS產品技術上，包括芯片設計、終端、單胞、TRENCH、SGT。

利用CCT原理，採用深槽TRENCH結構，打破常規TRENCH結構電壓和電阻的限制關係，相同電壓條件下具有更低的電阻；利用CCT原理，在深槽TRENCH結構基礎上採用SGT結構，使得米勒電容減少，開關速度提高，使得開關損耗大大減少；終端採用TRENCH結構，終端具有橫向電場，耐壓效果好，效率高，芯片面積更小。

華微電子CCT MOSFET產品所有功率器件均爲自主研發和生產，產品電壓範圍爲80V-150V，電流範圍爲60A-150A；主要產品包括TO-220、TO-220HF、TO-263、DPAK、IPAK、PDFN5*6、SOP-B等。

其中華微電子80V-100V CCT MOS產品具備如下特點：低柵極電荷、低RDSON；低功耗、高效率；良好的溫度特性；高抗DV/dt能力；開關速度快。可應用於電源、電動車控制器、BMS等領域。

吉林華微電子股份有限公司是集功率半導體器件設計研發、芯片加工、封裝測試及產品營銷爲一體的國家級高新技術企業，公司經科技部、中科院等國家機構認證，被列爲國家博士後科研工作站、國家創新型企業、國家企業技術中心、CNAS國家認可實驗室。

公司總資產近55.73億元，員工2000餘人，技術人員佔公司總人數的30%以上，佔地面積40萬平方米，建築面積13.5萬平方米，淨化面積17000平方米，主要淨化級別爲0.3微米百級。公司於 2001 年3月在上海證券交易所上市，爲國內功率半導體器件領域首家上市公司。

華微電子緊隨市場發展，將積累多年的技術經驗厚積薄發，引領技術前沿，開拓新興領域。公司擁有4英寸、5英寸與6英寸等多條功率半導體分立器件及IC芯片生產線，芯片加工能力爲每年500萬片，封裝資源爲每年24億隻，模塊每年1800萬塊。