衆所周知，全球存儲芯片市場，主要是被韓國、美國廠商壟斷的。

在DRAM芯片市場，三星、SK海力士、美光三大廠商佔了全球90%+的份額。NAND芯片市場，三星、鎧俠、西數、SK海力士、美光這5大廠商也佔了90%+的份額。

而中國作爲全球最大的電子產品製造基地，一直以來大量進口存儲芯片，過去2年間，每年進口的存儲芯片超過1000億美元。

也正因爲如此，所以國內這幾年也是在大力發展存儲芯片，比如長鑫存儲主攻DRAM芯片，而長江存儲主攻NAND閃存，發展都非常迅速。

特別是長江存儲，已經推出了UFS3.1規格的NAND閃存，也推出了128層堆疊的3D NAND閃存芯片，下一步是進軍192層。按照機構的數據，到2021年底時，長江存儲的全球市場份額已經達到了4%左右。

可以說，長江存儲代表的國產NAND芯片，與國際巨頭三星、美光、SK海力士之間的差距越來越小。

不過，在國產存儲芯片不斷突破的情況下，國際巨頭也沒閒着，不斷的推出新技術，想通過降維來打擊國產存儲芯片。

前段時間三星推出了UFS4.0規格，相比於UFS3.1，速度直接翻倍，同時功耗也更低，三星表示UFS4.0規格的NAND閃存，今年三季度量產，很明顯三星是想通過新的規格，拉開與國產廠商才UFS3.1規格的差距。

而美光前兩天發佈業界首個232 層堆疊3D NAND Flash 快閃記憶體，計劃用於各種產品包括固態硬盤，2022 年底左右開始量產。

美光的目的與三星也是一樣的，也就是提高技術門檻，拉開自己與其它廠商的差距，對國產存儲芯片廠商，形成降維打擊。

畢竟不管是UFS4.0，還是232 層的3D NAND，相比於現在國產廠商的技術，又再提升了一個檔次，這樣有望降低生產成本，定出更有競爭力的定價，或增加利潤。

這對於國產存儲芯片廠商而言，壓力還是相當大的，本來在後面一步一步追，馬上快要追上了，對方突然又來了一個加速，距離又拉大了，又得埋頭苦追。