4月23日消息，三星半導體今日宣佈，其第九代V-NAND1TbTLC產品開始量產，比三星上一代產品提高約50%的位密度（bitdensity），通過通道孔蝕刻技術（channelholeetching）提高生產效率。

憑藉當前三星最小的單元尺寸和最薄的疊層厚度，三星第九代V-NAND的位密度比第八代V-NAND提高了約50%。單元干擾避免和單元壽命延長等新技術特性的應用提高了產品的質量和可靠性，而消除虛通道孔則顯著減少了存儲單元的平面面積。

此外，三星的“通道孔蝕刻”技術通過堆疊模具層來創建電子通路，可在雙層結構中同時鑽孔，達到三星最高的單元層數，從而最大限度地提高了製造生產率。隨着單元層數的增加，穿透更多單元的能力變得至關重要，這就對更復雜的蝕刻技術提出了要求。

第九代V-NAND配備了下一代NAND閃存接口“Toggle5.1”，可將數據輸入/輸出速度提高33%，最高可達每秒3.2千兆位（Gbps）。除了這個新接口，三星還計劃通過擴大對PCIe5.0的支持來鞏固其在高性能固態硬盤市場的地位。

與上一代產品相比，基於三星在低功耗設計方面取得的進步，第九代V-NAND的功耗也降低了10%。

三星已於本月開始量產第九代V-NAND1TbTLC產品，並將於今年下半年開始量產四層單元（QLC）第九代V-NAND。

韓媒Hankyung稱三星第9代V-NAND閃存的堆疊層數是290層，不過IT之家早前報道中提到，三星在學術會議上展示了280層堆疊的QLC閃存。

半導體行業觀察機構TechInsights表示三星的第10代V-NAND閃存有望達到430層，進一步提升堆疊方面的優勢。