近日，在Intel、臺積電紛紛推出3D芯片封轉技術後，三星也宣佈他們的3D芯片封裝技術——X-Cube，該技術主要基於TSV硅穿孔技術，可以將不同芯片堆疊起來，目前，已經可以用於7nm和5nm製程工藝。

現在，芯片都是2D平面堆疊的，但隨着芯片數量增多，佔用的面積也會越來越大，這將不利於提高集成度，所以，各個芯片製造廠商就推出了3D芯片封裝技術。

三星的3D封裝技術叫做X-Cube，它基於TSV硅穿孔技術將不同芯片堆疊，該技術可以將SRAM芯片堆疊到芯片上方，釋放佔用空間，可以堆棧更多內存芯片。

除此之外，TSV硅穿孔技術還可以大幅縮短芯片之間的信號距離，提高數據傳輸速度，降低功耗，並且，客戶還可以按需定製內存帶寬及密度。

據瞭解，該技術將主要應用於最前沿的5G、AI、AR、HPC、移動芯片等領域中。

此前，Intel和臺積電公佈的3D封裝技術很相似，只是具體的實現方法略有不同，其中，Intel的3D封裝叫做Foveros，已經在Lakefield芯片上進行了應用，主要集成10nm CPU和22nm IO核心。

至此，在三星推出X-Cube之後，全球主要的三家半導體芯片製造廠商均擁有3D或2.5D的封裝技術。