揚子晚報網1月23日訊（記者楊甜子）近日，江蘇省人民政府網站發佈《省政府關於2020年度江蘇省科學技術獎勵的決定》。決定授予中國工程院院士、中國電子科技集團公司第十四研究所教授賁德和中國科學院院士、南京大學教授鄭有炓2020年度江蘇省科學技術突出貢獻獎。

2020年度，全省共有271個項目被授予江蘇省科學技術獎，包括一等獎45項、二等獎74項、三等獎152項。南京大學有12項成果榮獲獎項，其中，鄒志剛教授牽頭項目“高效低成本氫能與燃料電池關鍵材料、技術及應用”，陸延青教授牽頭項目“光纖傳感與監測系統關鍵器件基礎研究”、李滿春教授牽頭項目“地理信息雲服務平臺關鍵技術與決策支持”與潘丙才教授牽頭項目“基於目標污染物特性適配的深度水處理方法創新與應用”獲得江蘇省科學技術獎一等獎。獲得2020江蘇省科學技術獎二等獎的有丁愛軍、周德榮、蔣自強、江飛；獲得科學技術獎三等獎的有陳振宇、趙志宏、都有爲、張豹山、任華、孟祥康、顧堅、鄭建明、金玉、吳稚偉、邢崢、李爾廣。

【院士簡介】

鄭有炓，男，漢族，1935年10月出生於福建省大田縣，1953-1957年就讀南京大學，57年畢業於我國首屆五校聯合半導體專業，1984年被受國家委派參加首批中美凝聚態物理合作研究計劃（1984-86）。自1957年至今一直在南京大學從事半導體材料與器件的教學科研工作，2003年當選中國科學院院士。研究成果獲2003年國家自然科學二等獎、2016年度國家技術發明二等獎、1999年度國家技術發明三等獎等國家和省部級科技獎共10項。

鄭有炓院士在半導體異質結構材料與器件研究上，帶領團隊做出了系統性和創造性的突出貢獻：倡導並推動我國第三代半導體的研究和產業的發展，帶領團隊突破了一系列氮化鎵生長關鍵技術，實現我國氮化物半導體生長設備零的突破，首次研製出GaN基微波異質結構器件材料並與中電55所合作研製出我國首支GaN基微波功率器件，實現國內第一塊2吋氮化鎵自支撐襯底，發展了氮化鎵LED新技術，引領了紫外探測與成像技術，推動我國第三代半導體研究及產業躋身於國際前列，爲我省固態照明和第三代半導體產業發展作出了重大貢獻；作爲鍺硅異質結構研究先行者，發明快速輻射加熱超低壓CVD原子級外延方法，製備出高質量鍺硅應變層超晶格量子阱異質結構材料，創新研製出第一支高響應度鍺硅紅外探測器和國內第一支鍺硅異質結晶體管；作爲硅納米結構及器件研究的開拓者，發明精準定位硅納米線製備新方法，研製出超細溝道納米點MOSFET，以科技創新支撐摩爾定律下信息器件的持續發展。

鄭有炓院士在人才培養與學科建設上兢兢業業，身先示範，立德樹人，培養造就了一支充滿創新活力的學術團隊，包括6位長江特聘教授、8位國家傑青、6位國家973計劃（重點研發專項）首席科學家，以及2個國家基金委創新羣體和1個科技部創新團隊，獲江蘇省教育系統先進工作者等稱號；他不忘初心、堅韌不拔，面向國家重大需求，年過八旬依然奮戰科教第一線，致力指導第三代半導體的發展，爲我國半導體材料與器件的科研攻關再闖新路、再求突破、再攀高峯。

校對李海慧