三星預告將會舉辦名爲“具有PAM3優化TRX均衡和ZQ校準功能的16Gb 37Gb/s GDDR7 DRAM”的主題活動，介紹其最新的GDDR7內存技術。

ISSCC 2024（IEEE 國際固態電路會議）即將於2月18日至22日在美國舊金山舉行，不少廠商會展示最新的半導體制造技術。其中三星已經預告將會舉辦名爲“具有PAM3優化TRX均衡和ZQ校準功能的16Gb 37Gb/s GDDR7 DRAM”的主題活動，介紹其最新的GDDR7內存技術。

早在去年7月，三星就宣佈已完成了業界首款GDDR7芯片的開發工作，每個數據I/O接口的速率達到了32Gbps，並承諾GDDR7在能效方面相比GDDR6會有20%的提升。首款16Gb GDDR7芯片在位寬爲384位的情況下，提供了高達1.536 TB/s的帶寬，遠遠超過了目前GeForce RTX 4090的1.008 TB/s。速度與現有的GDDR6X DRAM相比，也提升了50%以上。

與現有GDDR6使用的NRZ/PAM2或GDDR6X的PAM4信號編碼機制不同，GDDR7採用PAM3信號編碼機制。NRZ/PAM2每週期提供1位的數據傳輸，PAM4每週期提供2位的數據傳輸，而PAM3每兩個週期的數據傳輸爲3位。由於GDDR7使用的PAM3信號編碼機制更加複雜，控制器需要更強大的功能，消耗不一定比GDDR6少。爲此三星引入了具有高導熱性的環氧模塑化合物（EMC），讓GDDR7封裝的熱阻降低了70%，以確保有源組件不會過熱，在高速運轉時仍有穩定表現。據悉，三星GDDR7 DRAM將包括專門爲高速工作負載優化的技術，還將提供低工作電壓選項，專爲筆記本電腦等需要注意功耗的應用而設計，能效預計將提升20%。

此外，早在去年8月份就有報道稱，三星向英偉達提供了GDDR7 DRAM樣品，用於下一代遊戲顯卡的早期評估，這意味着將在年內發佈的全新RTX 50系顯卡有望首發該款顯存。