1月5日消息，據國外媒體報道，在此前的報道中，英文媒體援引產業鏈方面的消息報道稱，臺積電和三星的3nm工藝研發均遭遇關鍵瓶頸，研發進度也不得不推遲。

臺積電和三星的3nm工藝研發遭遇挑戰，是否會影響到最終的量產時間也備受關注，但外媒在報道中表示，目前仍有足夠的時間在2022年開始量產。

3nm是5nm之後芯片製程工藝上的一個完整的技術跨越，芯片的晶體管密度、速度和能耗，較5nm都將會有明顯的提升。

在3nm工藝上，臺積電和三星這兩大芯片代工商走的是不同的路線，臺積電仍將採用成熟的鰭式場效應晶體管技術（FinFET），外媒稱三星將採用環繞柵極晶體管技術（GAA）。

臺積電CEO魏哲家，在此前的財報分析師電話會議上曾多次談到3nm工藝，他表示3nm工藝計劃2021年風險試產，他們的目標是在2022年下半年大規模量產。這也就意味着目前距離量產還有一年半的時間，他們也需要儘快攻克所遇到的關鍵瓶頸，以便在今年完成風險試產，進而在明年下半年大規模投產。